內存漲價大家都關注 AI SSD會步后塵沖擊SSD價格嗎？

最近內存價格持續上漲，導致不少消費者和DIY玩家們怨聲載道，大家普遍認為”只要都不買，價格早晚會下來“。

殊不知，這次漲價不是市場情緒導致的，而是DRAM產能正在向高端HBM遷移，普通消費級DRAM產能被瘋狂擠壓，價格自然就水漲船高。

眾所周知，如今AI的瓶頸正從算力轉向存儲，存儲系統并非只有HBM，AI SSD也同樣關鍵。

那么，會不會像內存一樣，AI SSD也會沖擊消費級SSD的價格呢？

首先我們先要來說說AI SSD在AI基礎設施里的作用是什么。

AI的新瓶頸：從算力到存儲

AI模型訓練的瓶頸主要集中在GPU/TPU等算力設備上，模型規模是呈指數級增長的，訓練和推理對數據訪問速度同樣也就越來越高，”算力飽和“已經不再是唯一的瓶頸，存儲性能成為限制系統整體性能的新關鍵。

而存儲瓶頸又分為HBM和AI SSD，其中AI SSD需要超高性能的NVMe SSD，主要用于大模型上下文數據、KV cache、數據集加載；同時彌補GPU內存不足，減少算力空閑等待。

特別是英偉達CEO黃仁勛這次在CES 2026上公開指出，對于存儲來說，這是一個目前完全沒有被滿足的市場，這個市場未來可能成為世界上最大的存儲市場，基本上承載著全球AI的工作內存。

說完這句話，隔夜美股閃迪、希捷、西部數據等硬盤制造商漲幅超14%。

資本市場也正在重新評估公司的估值邏輯：

從單純的”硬件賣方“轉變為”AI基礎設施提供商“。

存儲對于AI目前還遠遠不夠

目前公開最明確的高性能AI SSD項目是鎧俠和SK Hynix與Nvidia的合作。

鎧俠在2025年9月份就展示了一項面向GPU-Storage直連架構的全新技術的原型：超高IOPS SSD仿真方案。

該方案解決了HBM內存容量有限且成分本高，擴展困難的問題，鎧俠用超高性能SSD來緩解這一問題，讓一部分高頻數據可以像訪問內存一樣快速從SSD調用，從而減輕HBM內存的壓力。

鎧俠的Big Accelerator Memory（BaM）框架可以讓GPU繞過CPU直接訪問SSD數據從而降低延遲、提升帶寬利用率，簡單來說鎧俠的BaM本質上是一種存儲層級，主要負責將”穩數據“和”冷數據“快速喚醒，將SSD作為GPU可以快速調用的”擴展內存層“。

鎧俠將在2026年發布基于PCIe 6.0、1億OPS的第二代XL-FLASH SSD，預計2027年推出100M IOPS的PCIe 7.0的第三代產品。簡單來說鎧俠這項高達1億IOPS的超高IOPS SSD仿真方案就是為英偉達Vera Rubin準備的，而100M IOPS的PCIe 7.0第三代產品則是為未來的Rubin Ultra做準備。

Sk Hynix與Nvidia合作則更為激進，有一個代號為”Storage Next“的聯合開發項目，內部稱為AI-NP，目標同樣是1億IOPS，海力士副總裁在2025年年末明確表示，這款產品目的就是消除AI推理時的IO瓶頸，性能目標是主流企業級SSD的10倍。

預計將于2026年年末發布原型，并在2027年配合Rubin Ultra大規模量產，同時海力士也在嘗試類似HBM的多通道堆疊技術引入NAND控制器，使其在邏輯上更是一個”無限容量的慢速內存“。

AI SSD對消費級SSD的影響

雖然企業級和數據中心對AI SSD的需求呈指數級增長，但對消費級SSD沖擊相對有限。

首先目前1TB到2TB容量的消費級SSD受產能影響非常輕微，價格基本是非常穩定的。

部分高端NAND產能可能優先分配給AI SSD或大量容企業級SSD，特別是高性能型號會因為上游晶圓、材料或產線資源分配等問題，大容量（4TB）消費級SSD會出現輕微的價格浮動，但不會像內存價格那么夸張，主流的1TB-2TB容量消費級SSD并不會收到AI SSD的影響，大容量高端NAND SSD收到的影響也非常有限。

內存的上漲主要是HBM高端需求導致的產能緊張，而且HBM的良率極低（40%），生產1GB的HBM可能會浪費掉生產3GB DDR5的晶圓面積，所以內存必漲。

而SSD的情況不同，AI SSD主要是對控制器和PCIe通道的要求極高，并不會搶占主流消費級的TLC/QLC顆粒。

雖然AI存儲瓶頸正成為數據中心關注的重點，企業級AI SSD也正在快速發展，但對消費級SSD的沖擊有限，僅大容量和高新能型號會出現輕微的浮動。

所以不用擔心SSD會像內存那樣瘋狂的漲價，1-2TB主流容量SSD想買就買。