75歲,本該含飴弄孫的年紀,他卻在退休三個月后突然現身美國硅谷,手握足以改變全球芯片格局的機密資料。
曾被臺積電奉為“技術活化石”的羅唯仁,用20多年時間寫下20多張手寫筆記,表面是老派嚴謹,實則暗藏玄機。
如今,這些筆記成了英特爾追趕臺積電的“加速器”,也讓中國半導體產業面臨前所未有的圍堵。
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前言
2025 年 12 月上旬,中國半導體行業傳來震動性消息:深耕芯片領域 50 余年的 75 歲技術專家李某(化名)疑似潛逃美國,其帶走的第三代半導體核心技術機密,引發行業對技術安全的廣泛擔憂。
李某曾任國內某頭部半導體企業首席科學家,長期主導碳化硅(SiC)功率器件與 GAA(全環繞柵極)晶體管架構的研發攻關,是業內公認的 “技術泰斗”。
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據知情人士透露,李某于 11 月底以 “赴美國參加學術會議” 為由辦理出境手續,原定 12 月 5 日返程卻失聯,其個人辦公電腦、實驗室加密 U 盤等設備同步失蹤。
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企業內部監控顯示,李某在離境前一周曾多次深夜出入研發中心,調取大量未公開的技術文檔,涉及 8 英寸碳化硅襯底制備工藝、GAA 晶體管閾值電壓調控算法等核心數據。目前,相關企業已向公安機關報案,工信部半導體產業監管部門也已介入調查,核實技術泄漏范圍。
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李某的行業履歷凸顯其掌握技術的戰略價值。他從上世紀 70 年代起投身半導體研究,參與過 “核高基” 重大專項、第三代半導體材料攻關等國家級項目,主導研發的 6 英寸碳化硅芯片技術使國內相關產品國產化率從不足 5% 提升至 28%。
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其主導的 GAA 架構研發已進入中試階段,距離量產僅一步之遙,該技術被視為突破 3nm 以下先進制程的關鍵,直接對標臺積電、三星的頂尖工藝。
足以改寫產業格局的機密價值
李某攜帶的核心技術機密,覆蓋第三代半導體材料與先進制程兩大 “卡脖子” 領域,其泄露可能直接影響中國半導體產業的國產化進程。這些技術經過十余年攻關,累計投入研發資金超 20 億元,包含多項自主知識產權的關鍵突破。
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在第三代半導體領域,8 英寸碳化硅襯底制備工藝是核心機密之一。該技術解決了大尺寸襯底的缺陷控制難題,成品率達 72%,較國際主流水平高出 8 個百分點,成本卻降低 15%。
依托這一技術,國內已建成兩條量產線,年產能達 30 萬片,可滿足新能源汽車、高端工控領域對高功率器件的需求。李某帶走的不僅是工藝參數,還包括襯底表面拋光、雜質濃度控制等關鍵 Know-how,這些隱性技術難以通過專利文獻反向破解。
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GAA 晶體管架構的相關數據更具戰略意義。作為 3nm 以下先進制程的核心技術,李某團隊研發的 GAA 器件在驅動電流密度、漏電率控制上實現突破,其柵極環繞結構設計可使芯片性能提升 20%、功耗降低 35%。
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相關技術文檔包含器件三維結構仿真數據、光刻掩膜版設計方案等,若被美方獲取,可能幫助其縮短先進制程研發周期至少 2-3 年。此外,李某還掌握國內自主研發的光刻膠配方調整方案,該配方可適配國產 DUV 光刻機,突破高端光刻膠依賴進口的困境。
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中美半導體博弈的技術攻防
李某潛逃事件并非孤立個案,而是中美半導體領域長期技術博弈的縮影。近年來,美國通過人才招攬、技術封鎖等多種手段,試圖遏制中國半導體產業升級,而中國則通過政策扶持、自主攻關構建技術屏障,這場 “暗戰” 已滲透到人才、技術、產業鏈等各個層面。
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對中國半導體人才的招攬力度持續加大。2024 年以來,美國半導體行業協會聯合英特爾、高通等企業推出 “高端人才計劃”,為中國半導體專家提供年薪翻倍、科研經費傾斜等優惠條件,重點瞄準掌握核心技術的資深專家與項目負責人。
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數據顯示,2025 年上半年,中國半導體企業核心研發人員流失率同比上升 4.2%,其中 35% 的流失人員選擇赴美國工作。李某的潛逃,被業內解讀為美方 “精準挖角” 的典型案例。
中國的技術防御體系正在加速構建。2025 年 9 月,工信部、市場監督管理總局聯合印發《電子信息制造業 2025—2026 年穩增長行動方案》,明確提出 “強化知識產權保護,圍繞電子元器件、新型電子材料等基礎產業制定知識產權質量評價體系”。
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此前,國內企業已普遍建立技術保密制度,如參照臺積電 “專屬資訊保護(PIP)” 體系,對核心技術實施分級管理、加密存儲,但老年專家因歷史工作習慣、權限較高等原因,成為保密體系的薄弱環節。
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在技術標準與產業鏈上的博弈更趨激烈。美方通過實體清單限制中國企業獲取先進設備與技術,中方則加快構建自主產業鏈,2025 年中國芯片設計產業銷售額預計達 8357.3 億元,同比增長 29.4%,在人工智能、存儲器等領域形成突破。
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李某攜帶的技術若被美方利用,可能打破當前的技術競爭平衡,延緩國產先進制程的產業化進程。
結語
75 歲芯片大佬潛逃事件,為中國半導體產業敲響了技術安全的警鐘。在全球科技競爭日趨激烈的背景下,核心技術既是產業升級的 “金鑰匙”,也是國家安全的 “壓艙石”。
此次事件暴露了國內在技術保密、人才管理等方面的短板,也推動行業加速構建更完善的安全體系。
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中國半導體產業的國產化之路,注定是一場技術創新與安全防護的雙重戰役。既要持續投入研發,攻克 “卡脖子” 技術難題,實現從 “跟跑” 到 “領跑” 的跨越;也要筑牢技術安全防線,通過制度完善、技術賦能、人才保障,守護來之不易的研發成果。
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正如《堅決打贏半導體領域核心技術攻堅戰》所強調的,只有把關鍵核心技術掌握在自己手中,才能從根本上保障國家經濟安全、國防安全和其他安全。
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未來,隨著技術安全體系的不斷完善,以及自主創新能力的持續提升,中國半導體產業將更從容地應對國際競爭中的各種挑戰。這場暗戰的變數,最終將轉化為產業高質量發展的動力,推動中國半導體在全球產業鏈中占據更核心的位置。
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