閃存價格，持續飆升

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隨著人工智能（AI）產業的蓬勃發展，對NAND閃存的需求激增，三星電子、SK海力士和鎧俠等全球NAND閃存制造商正在加速產能擴張。然而，三星電子和SK海力士優先考慮的是DRAM產能的提升，而鎧俠的產能擴張預計短期內無法滿足市場需求，因此大多數分析師認為NAND閃存價格的上漲趨勢在短期內仍將持續。

據市場研究公司DRAMeXchange 17日發布的數據顯示，上月標準NAND閃存產品（128Gb 16Gx8 MLC，用于存儲卡和U盤）的平均合約價為17.73美元，較上月的12.67美元上漲了39.95%。與去年1月的2.18美元相比，漲幅約為八倍。盡管以人工智能數據中心為中心的市場需求迅速增長，但NAND閃存廠商的供應卻未能跟上。

隨著人工智能產業的蓬勃發展，NAND閃存的供應短缺問題日益嚴峻，其供應短缺問題也與DRAM一樣日益嚴重。在訓練人工智能模型和提升推理能力的過程中，用于存儲海量數據的基于NAND閃存的企業級固態硬盤（eSSD）的需求激增。此外，數據中心服務器4至6年的更換周期也與NAND閃存重疊，進一步推高了需求。

然而，在經歷了兩三年的NAND市場低迷之后，全球NAND制造商紛紛減產，難以滿足市場需求。尤其是三星電子、SK海力士和美光等公司，已將重心轉向DRAM生產，DRAM的需求增長速度遠超NAND，導致NAND產能擴張的優先級降低。

市場研究公司 TrendForce 預測：“由于短期內 NAND 閃存產能增長有限，而人工智能需求激增，今年價格將持續強勁上漲。”

三星電子和SK海力士計劃今年重點擴建其位于中國的NAND閃存工廠。據悉，三星電子已完成西安一廠的工藝改造投資，并計劃在下半年提高產量。西安二廠據稱正在考慮擴建，計劃每月增加約4萬片晶圓的產能。SK海力士據稱正在推進新的投資，計劃將其大連二廠的產能擴建至每月5萬片晶圓。

據稱，他們也在全力以赴地在國內新的生產線上尋找空間。據報道，三星電子位于平澤園區5號工廠（P5）和SK海力士位于龍仁半導體集群一期工廠（Y1）的新生產基地正在研究如何擴大NAND閃存生產線。

一位半導體行業官員表示：“韓國存儲半導體企業優先擴大DRAM和高帶寬內存（HBM）產能，但NAND的需求也在激增，因此應對措施迫在眉睫。”他補充說：“我們正在努力確保海內外工廠有足夠的空間來擴大生產線。”

包括鎧俠（Kioxia）和美光（Micron）在內的海外NAND閃存制造商也在加大力度擴大產能。日本鎧俠自去年以來一直在進行擴建投資，并計劃今年在其位于四日市的工廠每月增加約3萬片晶圓的產能。總部位于美國的美光在新加坡投資建設的新NAND閃存工廠預計將于今年全面破土動工，并于2028年開始量產。

（來源：編譯自chosun）

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