在算力爆發(fā)、新能源產業(yè)狂飆、第三代半導體加速落地的產業(yè)浪潮下,半導體測試作為芯片量產的“最后一道防線”,正迎來技術與需求的雙重升級。一方面,LPDDR6、GDDR7等新一代存儲技術迭代,SiC、GaN等寬禁帶半導體規(guī)模化應用,對測試設備的速度、精度、兼容性提出更高要求;另一方面,中國半導體產業(yè)自主化進程加快,本土企業(yè)在功率半導體、高端存儲、大算力芯片等領域的突破,亟須適配的高端測試解決方案支撐。作為全球半導體測試設備的領軍企業(yè),愛德萬測試始終與中國產業(yè)同頻共振,在SEMICON China 2026展會上,其帶來了功率半導體測試、高速DRAM測試、SoC測試三大領域的重磅技術成果,全方位展現(xiàn)了面向未來的測試技術實力。
愛德萬測試(中國)副總經(jīng)理李金鐵在接受愛集微專訪時表示,半導體產業(yè)的技術升級始終倒逼測試技術創(chuàng)新,愛德萬測試的核心思路是通過可擴展性、靈活性、可持續(xù)性的產品設計,為客戶提供覆蓋芯片研發(fā)到量產的全生命周期測試解決方案,“從功率半導體到高端存儲,再到大算力SoC,我們的技術布局始終緊扣中國半導體產業(yè)的發(fā)展需求,以核心技術突破助力本土企業(yè)搶占市場先機。”李金鐵強調。
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圖示:愛德萬測試(中國)副總經(jīng)理李金鐵
CREA技術融合結碩果,MTe平臺打造功率半導體全鏈條測試能力
2022年愛德萬測試對意大利CREA公司的收購,成為其補全功率半導體測試布局的關鍵一步。時隔四年,這場跨國技術融合迎來了里程碑式的成果——2025年10月推出的MTe功率測試平臺,不僅是CREA被收購后最重要的技術創(chuàng)新,更是全球首個覆蓋從晶圓到復雜組裝模塊全功率半導體測試需求的統(tǒng)一測試平臺,為解決功率半導體行業(yè)測試痛點提供了全新答案。
李金鐵介紹,MTe平臺的核心突破在于模塊化硬件架構與極致可擴展性在延續(xù)CREA高壓大電流傳統(tǒng)優(yōu)勢的基礎上,實現(xiàn)了“更小體積、更優(yōu)性能、更靈活配置”的三重升級。該平臺采用模塊化與分布式雙重架構,支持高并行多站點測試,能實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產的無縫過渡,在生產效率和成本上實現(xiàn)雙重優(yōu)化。“早期來自汽車和工業(yè)功率應用領域的客戶評估顯示,相比傳統(tǒng)測試設備,MTe在生產力和吞吐量方面實現(xiàn)了顯著提升,這正是其適配功率半導體規(guī)模化量產需求的核心體現(xiàn)。”
對于CREA引以為傲的PCI專利技術,MTe平臺不僅實現(xiàn)了技術延續(xù),更完成了針對性升級。李金鐵指出,第三代半導體工藝尚不成熟導致良率偏低,KGD(Known Good Die)測試成為篩除缺陷芯片的關鍵環(huán)節(jié),若跳過這一環(huán)節(jié),后續(xù)模組測試中出現(xiàn)不良品將面臨整批報廢的高昂代價,而CREA的PCI技術正是解決這一痛點的核心方案。“原有PCI技術能在晶圓級高功率動態(tài)測試中有效防止‘炸管’,即使芯片失效也能完整保留以用于后續(xù)分析,大幅降低測試損耗。而MTe平臺搭載的下一代PCI技術采用模塊化架構,體積更緊湊、性能更卓越,配合多站點測試能力,能更好滿足第三代半導體大規(guī)模量產的需求。”
面對新能源汽車、儲能、光伏等領域催生的SiC、GaN等第三代半導體需求激增,MTe平臺在CREA原有技術基礎上完成了系統(tǒng)性升級,打造了針對寬禁帶半導體的先進測試能力。李金鐵詳細解讀了該平臺的四大核心技術升級:其一,高帶寬捕獲能力可精準捕捉SiC、GaN高開關速度器件的納秒級開關損耗;其二,業(yè)界領先的柵極驅動器控制技術,有效解決GaN器件高速開關時的串擾和誤導通問題;其三,支持高達10kA的動態(tài)及短路測試,可直接驗證電動汽車主驅逆變器的極端工況,保障車規(guī)級功率模塊的安全關斷性能;其四,靈活的高壓數(shù)字能力適配各類高壓測試場景,支持智能功率模塊(IPM)、集成功率器件(IPD)等集成數(shù)字IP核的功率器件測試,契合車載電子高度集成化趨勢。
如今,這款平臺已對國內第三代半導體產業(yè)形成了全鏈條支撐。李金鐵表示,在晶圓測試環(huán)節(jié),MTe融合愛德萬測試V93000機臺接口技術,以緊湊化設計降低測試成本;在KGD測試環(huán)節(jié),下一代PCI技術實現(xiàn)芯片失效時的快速保護;在功率模塊封裝環(huán)節(jié),10kA動態(tài)及短路測試能力滿足車規(guī)級、工業(yè)級高可靠性驗證需求,而模塊化架構讓客戶可按需調整測試資源,無需更換整套設備。“MTe的核心價值,是將CREA原有的功率半導體測試能力升級為覆蓋全測試鏈條的統(tǒng)一平臺,助力本土客戶加速第三代半導體產品上市,搶占電動汽車、儲能、光伏等高速增長的新能源市場先機。”
T5801直擊“內存墻”痛點,解鎖新一代DRAM高速測試新范式
算力的爆發(fā)式增長讓“內存墻”成為制約產業(yè)發(fā)展的核心瓶頸,LPDDR6、GDDR7等新一代DRAM技術的迭代,對高速存儲測試設備的需求愈發(fā)迫切。花旗銀行預計,2026全年DRAM平均售價(ASP)可能同比上漲約88%。高性能數(shù)據(jù)中心對高帶寬、大容量內存的需求持續(xù)攀升,這也為高速DRAM測試技術帶來了全新的發(fā)展機遇。在這一背景下,愛德萬測試推出的T5801超高速DRAM測試系統(tǒng),成為直擊行業(yè)痛點的關鍵產品。
李金鐵介紹,T5801的核心定位是高速DRAM顆粒及模組的專業(yè)測試平臺,可全面覆蓋下一代DRAM芯片(LPDDR6、GDDR7、DDR6)和存儲模塊(MRDIMM、CAMM)的測試需求,其NRZ波形速度高達18Gbps,三電平調制速率更是達到36Gbps,完美適配新一代高速存儲的測試需求。為應對高速存儲器的信號完整性挑戰(zhàn),T5801采用了創(chuàng)新的前端單元(FEU)結構,同時支持NRZ和PAM3兩種信號系統(tǒng),可適配高速存儲器的不同接口電平,解決了新一代DRAM測試中的核心信號難題。
“測試效率與兼容性的平衡,是DRAM廠商從研發(fā)到量產過程中的關鍵訴求,而T5801的靈活測試單元架構,恰好實現(xiàn)了工程研發(fā)到量產的無縫過渡。”李金鐵強調,T5801的工程機和量產機臺采用完全相同的硬件模塊和軟件系統(tǒng),客戶完成工程研發(fā)后,僅需復刻工程板即可實現(xiàn)量產遷移,大幅縮短開發(fā)周期。這一特性對于正處于技術爬坡期的國內DRAM企業(yè)而言,能有效降低研發(fā)試錯成本,加速產品市場化進程。
針對高性能加速器、數(shù)據(jù)中心對內存帶寬的迫切需求,T5801的推出與產業(yè)趨勢高度契合。李金鐵表示, T5801的性能不僅能滿足現(xiàn)有高速存儲產品的測試需求,更能適配未來技術迭代,為設計者提供從研發(fā)到量產的全流程可靠測試平臺。相比愛德萬測試此前的T5503系列產品,T5801實現(xiàn)了“更快的測試速度、更多的接口電平支持、更豐富的測試資源、更便捷的開發(fā)環(huán)境和軟件”四重升級,這也進一步鞏固了愛德萬測試在DRAM測試領域的市場領先地位。
對于中國本土DRAM產業(yè)的發(fā)展,愛德萬測試給予了高度關注。李金鐵透露,目前T5801已與全球頭部存儲客戶展開緊密合作,針對中國高速DRAM技術的快速發(fā)展,愛德萬測試正持續(xù)收集本土廠商的技術需求,并反饋至研發(fā)部門進行產品優(yōu)化和改進。“中國是全球DRAM產業(yè)的重要增長市場,本土企業(yè)在高端存儲領域的突破值得期待,我們將以專業(yè)的技術支持和持續(xù)的產品優(yōu)化,助力國內DRAM產業(yè)的自主化升級。”
V93000平臺全新升級,以“快”賦能大算力芯片等高端測試
作為愛德萬測試的旗艦產品,V93000可擴展SoC測試平臺始終是半導體高端測試領域的標桿,在本次SEMICON China 2026展會上,愛德萬測試將V93000 EXAScale一代機臺帶到現(xiàn)場并實現(xiàn)實體通電演示,成為展會的一大亮點。李金鐵表示,V93000 EXAScale推出后的兩年內,愛德萬測試發(fā)布了大量全新硬件儀器板卡,此次通電演示的核心初衷,是讓行業(yè)和客戶更直觀地感受新一代設備的整體實力與技術優(yōu)勢。
本次演示中,V93000重點展示了其在大算力芯片、高速接口芯片、射頻芯片、功率模擬芯片四大領域的測試能力,而這四大領域正是當前中國半導體產業(yè)自主化的核心方向。支撐其高性能的核心,是V93000 EXAScale系列搭載的專利Xtreme Link技術,李金鐵用一個“快”字概括了這項技術的核心亮點:“一是測試動作本身快,二是測試動作之間的銜接快,三是測試數(shù)據(jù)的上傳下達快,三重‘快’實現(xiàn)了測試過程的極致高效。”同時,依托Xtreme Link強大的互聯(lián)架構,數(shù)字板卡可實現(xiàn)多通道共享vector memory,電源通道能便捷地實現(xiàn)多通道聯(lián)動以提供超大電流輸出,充分適配大算力芯片等高端產品的測試需求。
近一兩年,V93000 EXAScale平臺完成了硬件和軟件的全方位升級,以應對日益復雜的芯片測試任務。李金鐵介紹,硬件方面,數(shù)字測試領域推出了可提供數(shù)千安培級供電能力的XHC32超大電流電源板卡,以及速度達64Gbps的PSMLS高速信號板卡;射頻領域推出了頻段覆蓋20GHz、帶寬達2GHz的新一代射頻板卡;同時升級了新一代Power MUX,強化功率與模擬測試能力。軟件方面,Smartest8在易用性和執(zhí)行效率上實現(xiàn)升級,工程開發(fā)和量產工具也完成了關鍵突破,尤為值得一提的是,平臺引入AI技術,大幅提升了測試開發(fā)和量產的效率與質量。
針對中國市場,愛德萬測試為V93000系列配備了強有力的本地化支持體系。李金鐵透露,目前愛德萬測試服務于V93000系列的中國團隊規(guī)模已達數(shù)百人,組建了包含應用支持、應用開發(fā)、硬件售后、工具軟件開發(fā)在內的全流程團隊,為本土客戶提供全方位的技術保障。“本地化服務是愛德萬測試深耕中國市場的核心策略,我們希望以貼近客戶的技術支持,解決本土企業(yè)在高端芯片測試中的實際問題。”
展望未來,面對中國半導體產業(yè)的自主化浪潮,愛德萬測試明確了未來2~3年在華投資與業(yè)務拓展的三大戰(zhàn)略重心。第一,聚焦高性能SoC尤其是大算力芯片,持續(xù)加大SoC數(shù)字領域投入,推出系列新品應對算力芯片在規(guī)模、功耗、成本上的挑戰(zhàn);第二,布局高性能存儲器,針對更大規(guī)模、更高速度的存儲產品發(fā)布進階測試系統(tǒng),支撐存儲產業(yè)自主化升級;第三,深耕新能源與功率半導體領域,重點布局第三代半導體,推出更強、更靈活的CREA測試方案。
“半導體測試技術的創(chuàng)新,始終要與產業(yè)需求同頻。”李金鐵在專訪最后表示,中國半導體產業(yè)的自主化升級,為全球測試設備企業(yè)帶來了全新的發(fā)展機遇。作為長期深耕半導體測試領域的產業(yè)伙伴,愛德萬測試早已完成從測試設備供應商到產業(yè)發(fā)展共建者的轉型,始終以全鏈條的測試解決方案,賦能中國半導體企業(yè)在功率半導體、高端存儲、大算力芯片等領域持續(xù)突破,與中國半導體產業(yè)長期同行、共同成長。
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