據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所官微消息,中國(guó)共產(chǎn)黨黨員,中國(guó)科學(xué)院院士,我國(guó)杰出的微電子科學(xué)家,中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員,原中國(guó)科學(xué)院微電子中心主任,第九屆、第十屆全國(guó)人民代表大會(huì)常務(wù)委員會(huì)委員吳德馨同志,因病醫(yī)治無(wú)效,于2026年3月23日13時(shí)15分在北京逝世,享年90歲。
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公開(kāi)資料顯示,吳德馨,女,1936年出生,河北樂(lè)亭縣人。1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子工程系。中國(guó)科學(xué)院微電子所研究員。1991年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。
20世紀(jì)60年代初,吳德馨作為主要負(fù)責(zé)人之一,在國(guó)內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開(kāi)關(guān)晶體管,所提出的提高開(kāi)關(guān)速度的方案被廣泛采用,并向全國(guó)推廣。60年代末期研究成功介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運(yùn)算放大器模擬電路。
吳德馨在20世紀(jì)70年代末研究成功MOS4K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。在國(guó)內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術(shù)用于大規(guī)模集成電路的研制,并進(jìn)行了提高成品率的研究。首先在國(guó)內(nèi)突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。開(kāi)發(fā)成功雙層多晶硅和差值氧化工藝,獨(dú)創(chuàng)了檢測(cè)腐蝕接觸孔質(zhì)量的露點(diǎn)法。
隨后,吳德馨在20世紀(jì)80年代末期自主開(kāi)發(fā)成功3微米CMOSLSI全套工藝技術(shù),用于專(zhuān)用電路的制造。研制成功多種專(zhuān)用集成電路并研究開(kāi)發(fā)成功VDMOS系列功率場(chǎng)效應(yīng)器件和砷化嫁異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管。20世紀(jì)90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術(shù),和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。
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