中國芯新突破，沖出封鎖

唯物的中國芯片產業深度觀察

北京的初春仍有些許寒意，但在人民大會堂內，關于科技發展的討論熱度空前。

2026年3月，科學技術部部長陰和俊在全國兩會的“部長通道”上，總結了過去一年的科技成果，尤其提到“我國芯片攻關取得新突破”。

“新突破”的表述看似平淡，放在全球地緣政治的角度卻猶如一聲驚雷。

科學技術部部長陰和俊/新華社記者 金良快 攝

自從2019年美國將華為列入“實體清單”，隨后祭出《芯片與科學法案》、聯合盟友實施對華設備與材料禁運，針對中國半導體產業的“硅幕”已經落下整整六年。六年來，華盛頓的智庫和硅谷的分析師多次預測，失去了EUV（極紫外）光刻機和先進制程代工的中國芯片，將永遠停留在14nm甚至28nm的“中世紀”。

然而，2025年的中國芯片“更上一層樓”。

從華為手機7nm芯片的穩定量產，到南大光電光刻膠的斷鏈重生，再到芯粒（chiplet）架構的另辟蹊徑，2025年中國半導體的發展務實，漸進，不懼試錯。

在美國封鎖半導體產業的第六年，中國半導體產業不僅活了下來，而且活得更好，更自信。

7nm流水線

故事要從一臺被“壓榨”到極限的機器說起。

在半導體物理學的規律中，想要制造7nm及以下節點的微觀電路，必須依靠荷蘭阿斯麥獨家生產的EUV光刻機。它的波長只有13.5納米，能像高度精細的手術刀一樣在硅片上“雕刻”晶體管。而中國，被禁止購買這把“手術刀”。

既然沒有鋒利的手術刀，能不能用普通的刻刀，多刻幾遍？

中芯國際與華為聯合攻堅的“DUV多重曝光技術”用的就是這個辦法。理論上，利用現有的DUV（深紫外）光刻機，對同一層晶圓進行三次甚至四次曝光，確實能達到7nm的精度。

圖源：中芯國際

但在商業現實中，這一做法曾被認為是一條死路：因為曝光次數越多，對準誤差就會呈指數級放大，只要有極其微小的灰塵或震動，整片造價高昂的晶圓就會報廢。

在2023年Mate60 Pro剛剛發布時，華爾街的分析師們普遍認為，“這只是不計成本的政治秀”。一位常駐上海的半導體行業高管回憶道，“當時的良率被外界普遍猜測不足50%，這意味著每賣出一顆芯片，都在燒錢。大家都在賭，華為的存貨能撐多久。”

但2025年的突破，就發生在這個不被看好的領域。

從2024年底Mate70系列問世，到2025年華為Mate80系列及多款終端設備、甚至部分服務器芯片的全面鋪貨，7nm芯片的供應不僅沒有枯竭，反而源源不斷。

背后是中國工程師夜以繼日的“填坑”之戰。沒有捷徑，只有對著顯微鏡和良率數據一次次調整參數：改進光刻膠的涂布厚度、優化刻蝕氣體的濃度、建立更嚴苛的防震和溫度控制模型。

華為Mate80/圖源：央視頻

根據加拿大TechInsights的拆解報告與追蹤分析，從麒麟9000S到后續迭代的芯片，中國代工廠在7nm工藝上的成熟度正在以肉眼可見的速度提升。業界普遍估算，通過兩年的工藝迭代和良率爬坡，這條“非典型”7nm產線的商業化良率已經達到了一個正向經濟循環的臨界點。

故事的核心在于，它證明了即使原有的技術路徑被鎖死，憑借龐大的工程師紅利、海量的試錯資金以及“背水一戰”的終端市場反哺，中國依然在懸崖邊踩出了一條路。代價固然是更高的制造成本，但收獲的是大國博弈中無價的戰略安全。

一瓶光刻膠

如果說光刻機是芯片制造的“印鈔機”，那么光刻膠就是印鈔機里的“特種油墨”。沒有它，再先進的機器也只是一堆廢鐵。

2023年7月，日本政府對中國正式實施針對23種半導體制造設備的出口管制。雖然重點在于設備，但懸在中國半導體頭頂的另一把達摩克利斯之劍也讓人擔憂——高端光刻膠。

全球高端光刻膠市場，超過80%的份額被日本的JSR、東京應化、信越化學等幾大巨頭牢牢把控。

光刻膠是一種特別嬌貴的化學合成物。以制造7nm、14nm、28nm芯片至關重要的ArF（氟化氬）干法和浸沒式光刻膠為例，其不僅要求極高的感光度以保證納米級的分辨率，更要求極其苛刻的純度。一瓶光刻膠中，如果混入了幾個金屬離子，就可能導致整批芯片短路。

一旦日本企業止供貨，國內哪怕是最成熟的28nm產線，也會在幾個月內因庫存耗盡而全面停擺。

光刻膠的工作機制/圖源：觀網財經

面對這種絕境，中國材料企業開始想辦法。

南大光電脫胎于南京大學，是中國高純電子材料領軍企業，2025年有三款ArF光刻膠通過驗證。

一般而言，材料科學沒有“彎道超車”。從樹脂的合成、光酸產生劑的篩選，到溶劑的配比，每一種成分微調，都要經歷漫長的晶圓涂布、曝光、顯影測試。

早期，國產光刻膠送樣到晶圓廠，往往因為掛壁、邊緣不平整或分辨率不夠被直接打回。更難的是，驗證一款光刻膠，需要占用晶圓廠寶貴的產線時間。在產能緊張的年代，沒有代工廠愿意拿幾百萬元的晶圓去陪國產材料“練手”。

隨著國際環境的惡劣，為了供應鏈安全，中芯國際、華虹等代工廠向國產材料敞開了驗證的大門。

193nm ArF光刻膠/圖源：南大光電官網

歷經近十年研發、上千次的配方調整，2024年底至2025年，南大光電迎來了歷史性的時刻。根據該公司的公開披露信息，其自主研發的ArF光刻膠不僅成功通過了國內客戶的使用認證，更邁出了關鍵一步：實現批量供貨。

這是一個材料自主的技術里程碑。雖然目前國產ArF光刻膠在國內市場的占有率仍處于起步階段，距離全面替代還有很長時間，但這意味著從“0到1”已經達成了，以后從“1到100”也就不難了。

芯粒爆發

對于半導體產業來說，真正的壓力不是“做不出芯片”，而是“做不出足夠大的、高性能的芯片”。

最現實的問題是，如果拿不到最尖端的制程，是否還能夠繼續提升算力、繼續做大芯片、繼續支撐AI服務器和高性能計算？

答案在2025年變得越來越清晰，未必把所有功能都塞進同一塊最先進的硅片里。

這正是Chiplet的意義。所謂Chiplet，并不是神秘的新發明，而是種更務實的工程思路：把原本一整塊的大芯片拆分成多個小芯片，分別制造，再通過先進封裝把它們重新“拼”在一起。

比如，把負責核心計算的部分，用現有的、來之不易的7nm工藝制造；把負責輸入輸出接口、內存控制等對制程要求不高的部分，用便宜且產能充足的14nm甚至28nm工藝制造。最后，利用先進的2.5D或3D封裝技術，將這些“小積木”像拼圖一樣緊密互聯在一起，形成一顆完整的大芯片。

這么做的好處很直接——一方面可以提高良率，另一方面可以把不同功能模塊放到不同制程節點上完成，降低對單一最先進工藝的依賴。

換句話說，當先進制程受限時，封裝就不再只是芯片制造的“最后一道工序”，而變成了性能競爭的一部分。

2025年10月15日，廣東深圳會展中心，2025灣芯展Chiplet與先進封裝生態專區/圖源：視覺中國

過去一年，中國在Chiplet上真正的進展，并不主要體現在某一顆“傳奇芯片”的橫空出世，而是體現在先進封裝能力開始從概念驗證走向穩定量產。

最有代表性的案例之一，來自中國大陸封測龍頭長電科技。在2024年年報中，公司明確披露，其高密度多維異構集成系列工藝已“按計劃進入穩定量產階段”，并已服務于高性能計算、人工智能、汽車電子等應用場景。

尤其到了后摩爾定律時代，系統性能不再完全由晶體管尺寸決定，也越來越取決于封裝、互連和異構集成能力。英特爾、AMD、臺積電、三星都在大規模押注先進封裝，本身就說明了這種趨勢。

中國在最尖端邏輯制程上仍落后于國際龍頭，但在封裝環節，尤其是在制造組織能力、產能建設和工程實現上，與國際先進水平的距離相對更小，也更有機會率先形成產業化突破。

當然，Chiplet并不能替代先進制程，也不能讓中國立刻克服缺乏EUV光刻機的短板。它更像是一種工程優化，幫助企業在受限條件下，把現有制造能力組合得更高效，把有限的先進產能用在最關鍵的地方。

如果說7nm量產的意義，是證明中國還能把先進芯片做出來；光刻膠量產的意義，是證明關鍵材料鏈條正在補齊；那么Chiplet的意義，則證明了中國芯片業正在巧妙運用“東方智慧”——在一大堆約束條件下，重新定義“什么叫可用的先進性”。

2025年9月25日拍攝的上海交通大學無錫光子芯片研究院/新華社記者 胡智軒 攝

回望2025年的中國半導體產業，沒有敲鑼打鼓的熱鬧，也沒有一步登天的奇跡。

陰和俊部長口中的“新突破”，是由產線上一次次失敗后回調的良率、實驗室里一瓶瓶倒掉又重配的試劑、以及架構師們一張張重新設計的圖紙共同堆砌而成的。

美國的打壓，倒逼中國建立起了全球最完整、最堅韌的本土半導體生態。

以前，國內芯片設計公司只買Synopsys的EDA軟件，只找臺積電代工，只用陶氏化學的材料；今天，從底層代碼到特種氣體，國內供應鏈正在經歷著史無前例的交叉驗證與生死磨合。

中國芯片，路依然很長，但方向對了。

文中配圖部分來源于視覺中國，部分來源于網絡。首圖為2026年1月21日在中國科學院物理研究所實驗室拍攝的78比特“莊子2.0”芯片，新華社記者 金立旺 攝

作者 |榮智慧

編輯 |向 現

值班主編 | 張來

排版 | 菲菲