內存價格持續大漲 存儲產業鏈格局生變

本文轉自【證劵日報】；

2026年以來內存市場迎來快速上漲行情。2月9日，市場研究公司Counterpoint Research發布的《2月內存價格追蹤報告》顯示，2026年第一季度以來，內存價格較2025年第四季度末已上漲80%—90%，DRAM、NAND及HBM全品類價格均創歷史新高，通用服務器DRAM成為本輪漲價核心推手。

業內人士表示，行業供需格局調整之下，產業鏈各端正加速優化經營策略，國內存儲企業則有望在海外大廠的產能布局變化中迎來國產化發展契機。

全板塊價格加速上漲

本輪內存市場呈現全板塊價格加速上漲態勢，上述Counterpoint Research報告顯示，此前表現平穩的NAND閃存價格在2026年第一季度以來同步大漲80%至90%，疊加部分HBM3e產品價格走高，形成全品類漲價格局。以服務器級內存為例，64GB RDIMM合約價從2025年第四季度的450美元，飆升至2026年第一季度的900美元以上，且二季度有望突破1000美元關口。

TrendForce集邦咨詢分析師許家源向《證券日報》記者表示，2025年第四季度各類應用的DRAM合約價普遍上漲40%以上，2026年第一季度以來合約價再次出現大幅上漲。其中，DDR4市場供需失衡尤為突出，2026年第一季度漲幅進一步加速，預計第二季度仍將上漲。

業內人士認為，本輪漲價的核心原因是供需失衡疊加海外大廠產能結構調整。群智咨詢（Sigmaintell）總經理李亞琴向《證券日報》記者表示，AI（人工智能）算力中心建設開啟帶來服務器與內存需求激增，存儲行業目前處于供不應求狀態，且這一局面將長期存在，因為當前AI算力建設仍處于基礎設施建設初期階段。

東芯半導體股份有限公司（以下簡稱“東芯股份”）在投資者調研活動中則提到，三星電子、鎧俠、海力士、美光科技等海外存儲巨頭專注于大容量3D NAND Flash以及HBM和DDR5高端產品，普遍實施減產或產能調控策略，對SLC NAND Flash、利基型DRAM及DDR4等傳統細分市場的投入與供給逐步減少，進一步加劇了DDR4市場的供需失衡，推動價格持續攀升。

對于后續市場走勢，李亞琴認為，2026年二季度后內存價格漲幅將逐季收斂，下半年部分品類將止漲，但短期內難以看到價格回落。

產業鏈冷暖分化

本輪內存漲價直接推升上游廠商盈利水平，有業內人士分析，預計2026年第一季度，DRAM廠商營業利潤率將突破歷史峰值，行業將實現創紀錄的盈利水平。

國內相關企業也同步受益于行業上行周期，深圳市朗科科技股份有限公司1月29日在投資者互動平臺上表示，全球存儲行業處于上行周期，受供需格局改善及AI算力需求拉動，DDR內存價格呈行業性上漲，公司產能利用率良好，將動態優化排產；東芯股份2月9日亦在投資者互動平臺稱，公司存儲產品市場需求逐步好轉，市場價格已逐步回升。

與上游的高盈利形成鮮明對比，下游原始設備制造商（OEM）正面臨雙重經營壓力，消費電子成為受影響最大的領域。業內人士認為，2026年整體存儲價格將處于高位，這將促使品牌廠商調整終端售價和產品結構。為應對成本壓力，下游廠商紛紛采取降配、替代、調結構等措施。許家源表示，部分PC（個人計算機）及智能手機品牌將內存規格降級，并向模組廠尋求替代供應，預計2026年全球PC與智能手機出貨量或將出現下滑。

值得一提的是，本輪行業變化也為國內存儲企業帶來了國產化發展機遇。東芯股份在投資者調研活動中表示，隨著海外大廠陸續退出傳統存儲細分市場，疊加國產化需求不斷提高，公司在相關領域的市占率有望持續提升，迎來良好的發展契機。

本報記者 張文湘 見習記者 占健宇