滿足VBUS和同步整流場景應用，安森德低壓MOS拆解案例解析

前言

充電頭網在對以往拆解案例的整理中，發現安森德旗下多款MOSFET已導入多類快充與家電產品方案，并進入部分知名品牌的供應鏈體系。其器件覆蓋 30V/40V等低壓負載開關場景，也涵蓋100V/120V等同步整流應用。本文將結合我們現已發布的拆解案例，對安森德MOS管的典型型號與應用方向進行匯總梳理，便于讀者快速對照理解其參數定位與實際場景。

安森德MOS管應用案例

安森德ASDM30N40AE

安森德ASDM30N40AE-R是一顆低柵極電荷NMOS管，采用Trench工藝制造，具有導阻低，損耗小，IDM&EAS能力優越等特點；實際參數方面，該器件耐壓30V，導阻5.0m?，采用PDFN3.3x3.3-8封裝，可在負載開關、PWM應用以及電源管理等諸多場景應用。

應用案例：

1、拆解報告：沃爾瑪onn. 72W 3C1A多口氮化鎵充電器

2、拆解報告：摩米士65W拉拉線氮化鎵充電器

安森德ASDM40N60KQ

安森德ASDM40N60KQ是一顆低柵極電荷NMOS，同樣采用Trench工藝制造，耐壓40V，導阻7mΩ，采用TO-252-2L封裝，可在負載開關、硬開關和高頻電路以及UPS等場景應用。

應用案例：

1、拆解報告：詩恩MK01無線吹風機

安森德ASS052N10Q1M

安森德ASS052N10Q1M是一顆NMOS管，耐壓100V，導阻4.4mΩ，采用PDFN5*6封裝。

應用案例：

1、拆解報告：來酷65W 2C1A智能數顯拉拉線氮化鎵充電器

安森德ASDM100R066NQ

安森德ASDM100R066NQ是一顆低柵極電荷NMOS管，采用SGT工藝制造，具有導阻低，損耗小，IDM以及EAS能力優越等特點。該器件在參數方面，耐壓100V，導阻5mΩ，采用DFN5*6-8封裝，可在PC、電信以及工業等多種DC-DC電路中應用。

應用案例：

1、 拆解報告：紅魔80W風冷無線充電座

安森德ASDM30N65E

安森德ASDM30N65E是一顆采用采用Trench工藝制造的低柵極電荷30V耐壓NMOS，導阻4.5m?，采用DFN3.3*3.3-8L封裝，適合用于負載開關、鋰電保護等諸多場景應用。

應用案例：

1、拆解報告：羅馬仕35W快充移動電源PHA10P

安森德ASDM120R65N

安森德ASDM120R65N是一顆NMOS，采用SGT工藝制造，耐壓120V，導阻5.3mΩ，采用DFN5*6-8L封裝，適合同步整流以及高頻開關等諸多場景應用。

應用案例：

1、 拆解報告：羅馬仕10000mAh 67W超級快充移動電源

充電頭網總結

充電頭網了解到，深圳安森德半導體有限公司成立于2018年，總部位于深圳，是一家更懂應用的模擬芯片和系統級芯片設計公司，先后獲得國家高新技術企業，創新型中小企業，科技型中小企業等榮譽資質。

安森德在芯片設計、制造、測試、封裝等方面有著豐富的行業經驗，核心技術自主可控，擁有多項自主知識產權及發明專利。技術研發團隊由歐美頂尖半導體公司從業背景的資深專家、國內知名半導體公司資深專家及來自于西北工業大學、電子科技大學等國內著名高校團隊組成，有著豐富的行業經驗和領先的芯片設計能力。

安森德致力于為全球客戶提供半導體功率器件和模擬IC，產品覆蓋功率器件：中低壓 、高壓、超結MOSFET，第三代半導體SiC、GaN；模擬芯片：電源管理芯片、信號鏈芯片；SiP系統級芯片三大類產品線。產品可廣泛應用于工業電源、電機驅動、消費電子、新能源、光伏儲能等眾多領域，并與全球頂尖企業在技術與業務方面進行深入合作。