北京
什么是 SADP 工藝？
SADP（Self-Aligned Double Patterning，自對準雙重圖形化）
是一種利用spacer刻蝕圖形，從而將線距（pitch）縮小為原來的1/2的技術。
一句話總結：
光刻一次 → 通過一輪 spacer → 得到兩倍密度的圖形（pitch ÷ 2）。
SADP 是 SAQP（四重圖形化）的基礎步驟，也是最常用、最成功的多重圖形化技術之一。
SADP 工藝流程
Step 1：Core Patterning（光刻 + 刻蝕 core）
使用光刻做出 core（硬掩膜）
Step 2：Spacer Deposition（沉積 spacer）
以 ALD 或 CVD 方式覆蓋在 core 的表面
材料如 SiN / SiO? / SiC
要求：
完全 conformal
厚度精準（決定最終線寬）
Step 3：Spacer Etch（各向異性刻蝕）
去除頂部、底部
只保留側壁 spacer
結果：
spacer core spacer
此時結構 pitch 大約為原來的1/2。
Step 4：Core Removal（去除 core）
去掉中間 core，留下兩條 spacer
這些 spacer 就是新的 mask
Step 5：Pattern Transfer（圖形轉移到底層）
利用 spacer 作為最精細的掩膜
刻蝕到硬掩膜或底層薄膜
完成最終 p = p? / 2 的線條。
SADP 與 SAQP 的關系
技術
目的
spacer 次數
pitch 縮小倍數
SADP
一次 pitch 分裂
1
1/2SAQP
兩次 pitch 分裂
2
1/4
也就是說：
SAQP = SADP × 2（第二輪 spacer 繼續分裂）
如有需要1.2L全套微型電鍍槽如下圖，可聯系Tom
目前我們有cmp，光刻，鍍膜，鍵合，量檢測的技術群，如需進群，請加Tom微，防失聯：
本團隊可以接半導體3D動畫制作：半導體設備動作，工藝原理等，適合各類機臺，各種芯片，動畫效果如視頻所示：
特別聲明：以上內容(如有圖片或視頻亦包括在內)為自媒體平臺“網易號”用戶上傳并發布，本平臺僅提供信息存儲服務。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
