長鑫科技駱曉東：中國需要建立穩定的國產DRAM產能供應鏈

11月23日，長鑫科技集團股份有限公司市場中心負責人駱曉東在第二十二屆中國國際半導體博覽會（IC China 2025）同期舉辦的第七屆全球IC企業家大會上表示，中國需要建立穩定的國產DRAM（動態隨機存取存儲芯片）產能供應鏈,以減少對海外廠商的產能依賴。未來一段時間，LPDDR5X和DDR5將作為移動和服務器市場的雙引擎，引領行業升級。長鑫存儲在IC China 2025上正式發布了其最新DDR5系列產品，最高速率達8000Mbps，最高顆粒容量24Gb，均達到國際領先水平。

DRAM內存芯片是數字時代不可或缺的基礎原件。駱曉東表示，在過去幾十年里，市場在不斷變革，從PC時代到移動手機時代，再到數據中心以及最近非常熱門的人工智能時代，整個產業周期的需求也將伴隨結構升級不斷演變。

駱曉東認為，DRAM產業具備三個明顯的特征：一是高投資，每個DRAM產線動輒需要投入數百億美元，涵蓋設備、廠房建設、研發等各個環節，資本壁壘極高；二是高壟斷，過去幾年，全球幾十家DRAM廠商的市場份額都在縮減，三大DRAM廠商（SK海力士、三星電子和美光科技）占據90%以上的市場份額，行業集中度非常高；三是強周期，DRAM的價格隨著供需變化會出現非常大的波動，產業周期波動的幅度遠超其他行業。

“，在這個由AI需求爆發所帶來的新周期內，DRAM需求呈現爆發式增長，產能增加遠遠跟不上需求增加，這對市場供給、價格變化都帶來了巨大影響。”駱曉東說道。他指出，當下DRAM市場供不應求的狀況對下游客戶和行業帶來了極大的挑戰。中國需要有非常穩定的國產DRAM產能供應，通過產能提升和規模效應來減少對海外廠商的產能依賴。

駱曉東表示，回顧國產DRAM發展史，產業發展長期面臨三大壁壘：首先是技術壁壘，1970年英特爾推出的DRAM芯片1103奠定了整個行業發展的基礎，此后半個世紀以來競爭格局不斷發生變化，但是后面資本壟斷的本質從未改變，海外廠商通過差異化技術路線砌起非常高的技術壁壘；同時在這樣的競爭環境下，經過幾十年的行業沉淀形成了非常封閉的人才梯隊，而中國本土的DRAM設計、生產、研發、運營人才都非常欠缺；第三是市場壁壘，DRAM作為大宗商品，新玩家既要突破資本的門檻，更要應對巨頭的規模擠壓、價格以及產能調控帶來的市場波動。

據了解，作為中國大陸首個實現大規模量產的DRAM廠商，長鑫填補了國內DRAM的產業空白。經過過去9年的持續破壁，長鑫取得了技術及產品的持續創新和演進。

產線建設方面，長鑫在合肥、北京建成了兩大生產基地。其中，合肥生產基地是國內集成電路產業集群核心承載地，已集聚了眾多產業鏈企業，形成了設計、制造、封裝、測試、裝備、材料的全產業鏈路格局。北京生產基地則依托京津冀產業集群快速鏈接上下游資源，疊加頭部企業，聚焦產學研協同緊密的優勢，為DRAM技術迭代、高端人才引育提供核心支撐。

產品方面，當前長鑫已完成從DDR4到DDR5、從LPDDR4X到LPDDR5X的產能與技術雙重迭代，為市場與產業升級提供創新存儲解決方案。DDR（計算機內存的一種類型）產品線已首發國產自主設計生產的DDR5產品，速率最高可達8000Mbps，能夠大幅緩解高算力需求下的“內存墻”瓶頸。同時24Gb的大容量顆粒為構建高密度服務器模組提供支持，響應數據中心對海量數據處理的迫切需求，并推出7大模組矩陣，適配多元場景的海量算力需求。LPDDR（用于移動設備的低功耗內存）產品線在今年10月推出的LPDDR5X最高速率達到10667Mbps，躍居世界頂尖水平，產品覆蓋12GB至32GB的豐富組合，并通過封裝創新滿足手機小型化、輕薄化以及支持端側算力等需求。基于對整個市場趨勢的深度分析，駱曉東判斷LPDDR5X和DDR5將作為移動和服務器市場的雙引擎，在接下去的幾年內扮演重要的角色，同時也將帶動整個行業的升級。

“過去爾必達因為過度執著于技術迭代，忽視市場需求變化與成本控制，最終陷入了困境，這一教訓讓我們堅信技術脫離市場便是無源之水，市場缺少技術則是無進階之力。我們要以突破物理邊界的魄力探索未來，更要順應產業趨勢的務實篤行不怠，在超高速率的移動賽道樹立國產標桿，用穩定安全為服務器的生態筑牢算力根基，讓技術創新更貼合市場脈搏，讓產品落地回應真實需求。”駱曉東表示，“在內存芯片本土化的過程中，長鑫既要做敢闖敢試的破局者，又要做腳踏實地的深耕者，始終堅持技術貼合市場方能行穩致遠的初心，為中國半導體的自主崛起書寫創新的篇章。”

在IC China 2025博覽會上，長鑫存儲還展示了最高速率達10667 Mbps、最高顆粒容量16Gb的最新LPDDR5X移動端內存。

作者 丨宋婧

編輯丨趙晨

美編丨馬利亞

監制丨連曉東

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