美日臺聯(lián)手科技合圍，高市下黑手卡中國脖子，這招比稀土還厲害！

臺灣臺積電這家企業(yè)，在全球半導(dǎo)體領(lǐng)域堪稱執(zhí)牛耳者，手握業(yè)界最尖端的晶圓代工工藝，技術(shù)壁壘高聳入云。

2026年2月5日，臺積電董事長魏哲家專程飛抵東京，與日本首相高市早苗舉行閉門會談，正式確認熊本第二座晶圓廠將全面升級至3納米制程產(chǎn)線。

消息一經(jīng)披露，日本各大主流媒體紛紛頭條聚焦，輿論高度關(guān)注——這將是日本國土上首次誕生具備3納米量產(chǎn)能力的芯片制造基地，項目總投資額躍升至170億美元，創(chuàng)下該國半導(dǎo)體史上單體投資新高。

原規(guī)劃僅覆蓋6至12納米成熟節(jié)點，此次直接跨越多代技術(shù)鴻溝，核心動因正是緊抓人工智能爆發(fā)帶來的算力革命浪潮。

比稀土更致命

不少讀者不禁發(fā)問：為何說這一布局的殺傷力甚至超過稀土管制？

厘清這個問題，關(guān)鍵在于分清“資源依賴”與“制造主權(quán)”的本質(zhì)差異——稀土屬于天然礦產(chǎn)資源，而3納米芯片則是高端工業(yè)體系的“中樞神經(jīng)”，二者在戰(zhàn)略權(quán)重與技術(shù)不可替代性上，完全不在同一維度。

中國雖為全球最大稀土供應(yīng)方，但全球多國已加速開發(fā)替代礦源與回收技術(shù)，其稀缺性正被持續(xù)稀釋。

而3納米芯片則截然不同，它已成為驅(qū)動大模型訓(xùn)練、智能駕駛決策、航天器自主導(dǎo)航、新一代醫(yī)療影像分析等前沿應(yīng)用的底層引擎。當前全球范圍內(nèi)，僅有臺積電與三星兩家廠商實現(xiàn)穩(wěn)定良率與萬片級月產(chǎn)能交付。

我國尚不具備3納米全流程自主制造能力，更嚴峻的是，連支撐該工藝落地的關(guān)鍵裝備——包括極紫外光刻機、高精度原子層沉積設(shè)備、先進離子注入系統(tǒng)等——均被美國聯(lián)合日本、荷蘭實施出口許可封鎖。

3納米工藝的真正威力，在于性能與能效的雙重躍遷：相較5納米節(jié)點，在同等功耗下，邏輯運算效率提升18%；在相同計算頻率下，能耗下降32%。這種量級突破，使其成為AI芯片設(shè)計的黃金標準。

微軟最新推出的AI推理加速芯片Maia 200、英偉達Blackwell架構(gòu)旗艦GPU、蘋果iPhone 16系列A18仿生處理器，全部由臺積電3納米FinFET+工藝打造，單顆芯片晶體管密度突破1400億枚，峰值算力逼近每秒40萬億次浮點運算。

對中國而言，這究竟意味著什么？

當下全力推進的新質(zhì)生產(chǎn)力體系中，人工智能大模型、L4級自動駕駛系統(tǒng)、超精密分子影像診斷平臺，無一不以3納米級芯片為算力基石。

例如三甲醫(yī)院部署的AI病理輔助診斷儀，需實時解析千萬級像素組織切片圖像，背后仰賴3納米芯片提供的毫秒級響應(yīng)與低熱功耗；

智能網(wǎng)聯(lián)汽車的激光雷達點云處理、多傳感器融合決策，必須依靠此類芯片完成每秒數(shù)億次的數(shù)據(jù)吞吐與建模；

就連未來走進千家萬戶的家庭服務(wù)機器人，其環(huán)境感知、語義理解、動作規(guī)劃等核心功能，也深度綁定于該級別芯片的集成度與能效比。

一旦供應(yīng)鏈出現(xiàn)斷點，相關(guān)產(chǎn)業(yè)不僅面臨發(fā)展減速，更可能遭遇技術(shù)代際落差，且短期內(nèi)難以通過迂回路徑填補空白。

更具深遠影響的是，半導(dǎo)體技術(shù)迭代節(jié)奏正在加快——日本本土企業(yè)Rapidus已聯(lián)合豐田、索尼、NTT等巨頭，加速攻堅2納米全環(huán)繞柵極（GAA）結(jié)構(gòu)芯片，目標鎖定2027年實現(xiàn)風(fēng)險試產(chǎn)。

臺積電急踩油門

鮮為人知的是，熊本第二工廠的躍升并非臨時起意，而是一場精密籌劃的戰(zhàn)略卡位。

早在2025年秋季，該廠區(qū)便已啟動建設(shè)，初期定位為6至12納米成熟制程基地，主要滿足日本汽車電子、工業(yè)控制及消費類電子客戶的本地化供應(yīng)需求，初始投資額定為122億美元。

然而僅隔數(shù)月，臺積電即宣布技術(shù)路線全面重構(gòu)，直接錨定3納米最先進節(jié)點，追加投資48億美元，使總金額躍至170億美元（折合約2.6萬億日元）。

魏哲家在東京向高市早苗明確表示，此次升級的核心驅(qū)動力，正是全球人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)引發(fā)的芯片需求井噴。

但其深層考量遠不止于此。

日本政府提供的財政支持堪稱史無前例——已敲定最高7320億日元（約48億美元）的專項補貼，占項目總投資比重高達43%。

換言之，臺積電每投入1美元建廠，日本政府就配套承擔(dān)近0.77美元成本。

更值得玩味的是，日方已公開表態(tài)，正就進一步擴大補貼規(guī)模開展緊急評估，確保升級進程零阻力推進。

尤為關(guān)鍵的是，日本在半導(dǎo)體上游環(huán)節(jié)的深厚積淀，可為臺積電構(gòu)建“安全冗余”——信越化學(xué)與SUMCO合計掌控全球超65%的半導(dǎo)體級硅片產(chǎn)能，東京電子的干法蝕刻系統(tǒng)與濕法清洗設(shè)備市占率穩(wěn)居全球前三，均為晶圓制造不可或缺的“工業(yè)母機”。

將3納米產(chǎn)線落戶熊本，實質(zhì)是將材料供應(yīng)、設(shè)備維護、工藝驗證等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全部納入日本本土閉環(huán)，徹底規(guī)避地緣政治導(dǎo)致的供應(yīng)鏈中斷風(fēng)險。

資本市場的反饋極為敏銳。

自2月5日升級計劃官宣起，臺積電美股連續(xù)五個交易日走強：2月5日收盤報330.73美元，至2月10日已攀升至361.91美元，累計漲幅達9.4%，創(chuàng)近兩年單周最大漲幅紀錄。

投資者用真金白銀投票，押注美日臺三方協(xié)同所構(gòu)筑的新一代半導(dǎo)體地緣格局。

需要強調(diào)的是，該工廠預(yù)計最早于2028年上半年進入量產(chǎn)階段，達產(chǎn)后將供應(yīng)全球近三成的3納米芯片產(chǎn)能。

而臺積電熊本第一工廠已于2024年12月正式投產(chǎn)，專注28納米至12納米成熟工藝，目前已為索尼圖像傳感器、村田電子射頻模塊等日系頭部企業(yè)提供穩(wěn)定代工服務(wù)。

兩座工廠形成鮮明互補：一座夯實汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)終端等基礎(chǔ)需求，一座搶占AI服務(wù)器、高性能計算等前沿陣地，雙輪驅(qū)動，深度嵌入日本高端制造業(yè)生態(tài)。

美日暗中遞力

臺積電如此果決地加碼先進制程，絕非單純商業(yè)判斷，而是美日兩國系統(tǒng)性戰(zhàn)略引導(dǎo)下的必然選擇，其中美國的主導(dǎo)意志貫穿始終。

美國《芯片與科學(xué)法案》表面冠以“振興產(chǎn)業(yè)”之名，實則構(gòu)建了一套精準鎖定全球龍頭企業(yè)的制度性約束框架，臺積電正是該框架中最具分量的簽約方之一。

法案明確規(guī)定：凡接受美方補貼的企業(yè)，十年內(nèi)禁止在中國大陸新建或擴產(chǎn)任何14納米及以下先進制程產(chǎn)線。

臺積電既已簽署協(xié)議并領(lǐng)取補助，即自動放棄在華建設(shè)3納米、2納米等尖端工廠的可能性。這意味著主動剝離中國大陸市場約20%的營收貢獻，相當于親手舍棄一塊戰(zhàn)略級增長拼圖。

更為嚴苛的是，美方還強制要求臺積電定期提交庫存水位、客戶訂單結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品定價策略等核心經(jīng)營數(shù)據(jù)，近乎將企業(yè)運營透明度置于美方監(jiān)管顯微鏡之下。

這種深度綁定，根植于資本層面的結(jié)構(gòu)性控制——目前臺積電近半數(shù)股權(quán)由美國機構(gòu)投資者持有，僅花旗銀行托管的美國存托憑證（ADR）份額就超過20%，形成事實上的資本共治格局。

日本則扮演了這場棋局中最積極的落地執(zhí)行者角色。

除巨額財政輸血外，日本更在產(chǎn)業(yè)配套上傾盡全力：已有53家本土半導(dǎo)體材料、零部件及檢測設(shè)備企業(yè)隨臺積電同步進駐熊本，初步建成覆蓋硅片、光刻膠、靶材、封裝基板的完整區(qū)域產(chǎn)業(yè)集群。

索尼、豐田、電裝三大巨頭更以股東身份深度介入——索尼持股6%，電裝持股5.5%，豐田持股2%，三方合計持股逾13.5%，真正實現(xiàn)資本、技術(shù)、市場的三位一體捆綁。

更隱蔽卻更具殺傷力的是，美日荷三方已實質(zhì)性組建半導(dǎo)體設(shè)備出口管制聯(lián)盟。自2023年起，ASML最新型號EUV光刻機、東京電子最新一代CCP蝕刻系統(tǒng)、乃至關(guān)鍵備件與遠程診斷服務(wù)，均已列入對華禁運清單。

此舉形同“雙軌并進”：一邊推動臺積電在日本加速量產(chǎn)3納米芯片，一邊系統(tǒng)性切斷中國獲取先進制程設(shè)備的全部合法渠道，圍堵之勢日益清晰。

后記

美日臺三方此次深度聯(lián)動，本質(zhì)上是一場高度理性的戰(zhàn)略互惠——

臺積電獲得前所未有的財政支持與供應(yīng)鏈安全保障，日本借勢重拾全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)地位，美國則通過資本控制、技術(shù)規(guī)制與產(chǎn)業(yè)協(xié)同三重手段，將中國高端制造升級路徑納入可控軌道。

不過，阿斯麥公司前首席執(zhí)行官彼得·溫寧克早在2023年便發(fā)出警示：

對華設(shè)備出口限制非但無法遏制技術(shù)進步，反而會強力倒逼自主創(chuàng)新進程。因為物理定律不分國界，中國科研團隊完全有能力在光刻光學(xué)系統(tǒng)、精密運動平臺、真空環(huán)境控制等核心子系統(tǒng)上實現(xiàn)突破。

現(xiàn)實印證著這一預(yù)判：上海微電子28納米浸沒式光刻機已完成整機聯(lián)調(diào)并進入用戶驗證階段；中芯國際已成功流片5納米增強型工藝芯片，良率穩(wěn)步爬坡；華為昇騰910B芯片亦依托國產(chǎn)封裝與EDA工具實現(xiàn)量產(chǎn)突圍。