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腦機接口:腦機接口“獨角獸”強腦科技完成約20億元融資
腦機接口“獨角獸”強腦科技近期完成約20億元融資,為腦機接口領域除馬斯克旗下Neuralink以外世界第二大規模融資。據悉,投資人陣容強大,包括著名投資機構IDG、由英特爾CEO陳立武創立的華登國際,“果鏈”巨頭藍思科技、戰略投資方韋爾股份、潤澤科技、華住集團、好未來集團,也有中國香港、美國頂級家辦等。
強腦科技創立于2015年2月,由創始人韓璧丞率領團隊在哈佛大學創新實驗室孵化而來,主要致力于非侵入式腦機接口技術的研發。
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國信證券陳曦炳認為,腦機接口已進入“技術突破向商業化躍遷”的關鍵節點,應聚焦產業鏈核心環節與技術路線,上游可關注腦電傳感器、核心芯片等硬件供應商,受益于設備量產帶來的放量需求;中游重點布局擁有核心專利與臨床資源的企業,尤其是侵入式領域技術對標國際、非侵入式場景落地快的龍頭;下游可跟蹤在康復醫療、工業控制等細分場景形成商業化閉環的標的。
A股上市公司中
瑞邁特:公司與強腦科技洽談推進合作,利用非侵入式腦機接口技術實現腦控仿生手和仿生腿。
三七互娛:去年10月宣布完成對浙江強腦科技有限公司2000萬美元的戰略投資,拓展下一代人機交互入口并強化技術與場景協同。
第三代半導體:碳化硅產品正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長產業
機構指出,碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導體核心材料,憑借禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率優、電子飽和漂移速度快等突出性能,正全面滲透新能源、AI、通信、AR四大高增長產業,其應用場景從功率器件延伸至散熱材料、光學基底等領域,需求呈爆發式增長,行業即將進入高速發展期。
AI產業中,SiC迎來“功率+散熱”雙重增長機遇。在AI數據中心領域,SiC器件主要應用于AI功率器件和散熱層。在AI功率器件方面,SiC器件將用于AI數據中心的兩大電能轉換環節。一是電網到數據中心電流轉換。二是數據中心內部電流轉換。在散熱層方面,SiC主要作為CoWoS技術的中介層,也有望進入基板和熱沉環節。
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五礦證券指出,需求端的全面爆發推動行業規模快速擴張,預計2027年碳化硅襯底供需緊平衡,甚至存在出現產能供應緊張的可能性;2030年,全球1676萬片的襯底需求量,較2025年的供給,存在約1200萬片的產能缺口。
A股上市公司中
天岳先進:自主研發的8英寸碳化硅襯底已實現量產,且在晶體生長、缺陷控制、加工檢測及部件自制等關鍵技術領域形成了完整的技術體系,產品可廣泛應用于電動汽車、AI數據中心、光伏系統等多個領域。
三安光電:公司在數據中心及AI服務器電源領域,湖南三安的碳化硅產品已向長城、維諦技術、偉創力、臺達、光寶等頭部客戶實現量產。晶盛機電碳化硅襯底材料業務已實現6-8英寸碳化硅襯底規模化量產與銷售,量產的碳化硅襯底核心參數指標達到行業一流水平,8英寸碳化硅襯底技術和規模處于國內前列。
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