追趕海力士？三星HBM4樣品已通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試

據(jù)韓媒SEDaily報(bào)道，三星HBM4樣品已通過(guò)英偉達(dá)的初期測(cè)試和質(zhì)量測(cè)試，將在本月底進(jìn)入“預(yù)生產(chǎn)”階段。此外，三星已經(jīng)開始向NVIDIA供應(yīng)其HBM3E內(nèi)存，價(jià)格比SK海力士要低20-30%，預(yù)計(jì)將首先用于中國(guó)特供的H20 AI芯片。

雖然這看似只是一次簡(jiǎn)單的測(cè)試，但對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，在老對(duì)手SK海力士長(zhǎng)期占據(jù)英偉達(dá)訂單的背景下，新產(chǎn)品有望縮小與SK海力士的差距。

作為全球首個(gè)宣布量產(chǎn)HBM3的廠商，三星在HBM4賽道上原本落后SK海力士近兩年時(shí)間。此次通過(guò)測(cè)試的HBM4芯片采用臺(tái)積電CoWoS-L先進(jìn)封裝工藝，單顆容量達(dá)64GB，理論傳輸速率突破1.2TB/s，其核心技術(shù)突破體現(xiàn)在兩方面：一是通過(guò)重新設(shè)計(jì)TSV通孔結(jié)構(gòu)，將垂直互聯(lián)密度提升40%；二是采用新型散熱材料，使芯片在同等功耗下運(yùn)行溫度降低12%。這些改進(jìn)使其在性能參數(shù)上直逼SK海力士當(dāng)前主力產(chǎn)品HBM4（12層堆疊/8Hi設(shè)計(jì)）。

值得注意的是，三星同步推進(jìn)的HBM3E 12層產(chǎn)品也將于8月底完成認(rèn)證。

這種"先進(jìn)制程+成熟工藝"的組合拳策略，既能在高端市場(chǎng)對(duì)標(biāo)SK海力士，又能通過(guò)HBM3E搶占中端市場(chǎng)份額。

英偉達(dá)在此時(shí)引入第二家供應(yīng)商的戰(zhàn)略意圖顯而易見。

自2023年SK海力士獨(dú)占HBM訂單以來(lái)，其市場(chǎng)份額一度飆升至全球HBM市場(chǎng)的78%，但這也導(dǎo)致英偉達(dá)在議價(jià)權(quán)上陷入被動(dòng)。三星的加入不僅將重塑供應(yīng)鏈格局，更可能引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)。

據(jù)集邦咨詢預(yù)測(cè)，三星的介入將使HBM4合約價(jià)下降15-20%，這對(duì)正承受AI算力成本壓力的云服務(wù)商來(lái)說(shuō)無(wú)疑是重大利好。

另外，產(chǎn)能布局方面的較量同樣暗流涌動(dòng)。盡管三星宣稱將在11月實(shí)現(xiàn)HBM4量產(chǎn)，但行業(yè)普遍認(rèn)為其產(chǎn)能爬坡至少需要6個(gè)月時(shí)間。相比之下，SK海力士憑借先發(fā)優(yōu)勢(shì)已在韓國(guó)清州工廠建成月產(chǎn)12萬(wàn)片晶圓的HBM4專用產(chǎn)線。

不過(guò)三星正在推進(jìn)的3nm制程HBM5研發(fā)已進(jìn)入流片階段，相較于HBM4，新架構(gòu)將實(shí)現(xiàn)3倍以上的I/O密度提升。

值得一提的是，地緣政治因素也為這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)增添了復(fù)雜性。三星選擇在韓國(guó)本土平澤P3工廠投產(chǎn)HBM4生產(chǎn)線，成功規(guī)避了美日荷對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口管制的影響。

這種戰(zhàn)略布局不僅保障了供應(yīng)鏈安全，還使其能就近支持三星自身Exynos AI芯片的研發(fā)需求。隨著美國(guó)對(duì)華技術(shù)限制持續(xù)收緊，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的區(qū)域化重構(gòu)正在加速，而HBM作為AI算力的核心組件，其產(chǎn)能分布將直接影響各國(guó)在AI競(jìng)賽中的話語(yǔ)權(quán)。

SEDaily表示，如果三星順利向英偉達(dá)供應(yīng)HBM4和HBM3E，則明年的AI存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)可能發(fā)生巨大變化。

本文作者：jh

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