追趕海力士？三星HBM4樣品已通過英偉達測試

據韓媒SEDaily報道，三星HBM4樣品已通過英偉達的初期測試和質量測試，將在本月底進入“預生產”階段。此外，三星已經開始向NVIDIA供應其HBM3E內存，價格比SK海力士要低20-30%，預計將首先用于中國特供的H20 AI芯片。

雖然這看似只是一次簡單的測試，但對于三星來說，在老對手SK海力士長期占據英偉達訂單的背景下，新產品有望縮小與SK海力士的差距。

作為全球首個宣布量產HBM3的廠商，三星在HBM4賽道上原本落后SK海力士近兩年時間。此次通過測試的HBM4芯片采用臺積電CoWoS-L先進封裝工藝，單顆容量達64GB，理論傳輸速率突破1.2TB/s，其核心技術突破體現在兩方面：一是通過重新設計TSV通孔結構，將垂直互聯密度提升40%；二是采用新型散熱材料，使芯片在同等功耗下運行溫度降低12%。這些改進使其在性能參數上直逼SK海力士當前主力產品HBM4（12層堆疊/8Hi設計）。

值得注意的是，三星同步推進的HBM3E 12層產品也將于8月底完成認證。

這種"先進制程+成熟工藝"的組合拳策略，既能在高端市場對標SK海力士，又能通過HBM3E搶占中端市場份額。

英偉達在此時引入第二家供應商的戰略意圖顯而易見。

自2023年SK海力士獨占HBM訂單以來，其市場份額一度飆升至全球HBM市場的78%，但這也導致英偉達在議價權上陷入被動。三星的加入不僅將重塑供應鏈格局，更可能引發價格戰。

據集邦咨詢預測，三星的介入將使HBM4合約價下降15-20%，這對正承受AI算力成本壓力的云服務商來說無疑是重大利好。

另外，產能布局方面的較量同樣暗流涌動。盡管三星宣稱將在11月實現HBM4量產，但行業普遍認為其產能爬坡至少需要6個月時間。相比之下，SK海力士憑借先發優勢已在韓國清州工廠建成月產12萬片晶圓的HBM4專用產線。

不過三星正在推進的3nm制程HBM5研發已進入流片階段，相較于HBM4，新架構將實現3倍以上的I/O密度提升。

值得一提的是，地緣政治因素也為這場競爭增添了復雜性。三星選擇在韓國本土平澤P3工廠投產HBM4生產線，成功規避了美日荷對華半導體設備出口管制的影響。

這種戰略布局不僅保障了供應鏈安全，還使其能就近支持三星自身Exynos AI芯片的研發需求。隨著美國對華技術限制持續收緊，半導體產業鏈的區域化重構正在加速，而HBM作為AI算力的核心組件，其產能分布將直接影響各國在AI競賽中的話語權。

SEDaily表示，如果三星順利向英偉達供應HBM4和HBM3E，則明年的AI存儲芯片市場可能發生巨大變化。

本文作者：jh

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